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    SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书

    简要描述:

    SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书
    设计出内部安装有镜面的新型光学系统
    般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度,
    <NPN输出型>
    同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。
    红色半导体激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]

    更新时间:2024-10-29
    访问量:2089

    SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书

    ・输出阻抗:100Ω
    实现1/100mm的高精度检测
    ・ 剩余电压:1.5V以下(流出电流50mA时)
    800μm(测量距离400~600mm)
    ・ 漏电流:0.1mA以下
    <PNP输出型>
    采用位移传感器所使用的高精度CMOS影像传感器,以及位移传感器直使用的*的算法,
    ±0.3%F.S.(测量距离400~600mm)
    温度特性 0.03% F.S./℃
    重复精度  200μm
    300μm(测量距离200~400mm)
    设计出内部安装有镜面的新型光学系统
    般通过延长受光部分与受光元件(CMOS)之间的光路长度,
    <NPN输出型>
    同时又可实现与变位传感器相媲美的高精度测量。
    红色半导体激光 2[JIS/IEC/GB/FDA]
    ・ 温度特性:0.03%F.S./℃
    不仅能以mm为单位显示数值,还能读取模拟输出数值。
    PNP开路集电晶体管
    ・ zui大流入电流:50mA
    ・ 外加电压:30V DC以下(控制输出-+V之间)
    但是另方面,传感器的进深方向会变长,机身形状也会变大。
    从而可获得精度更高、更稳定的测量值,
    ・ 剩余电压:1.5V以下(流入电流50mA时)
    形状达到业内小型※的CMOS激光传感器

    SUNX日本进口CMOS型微型激光位移传感器说明书
    ・ 漏电流:0.1mA以下
    输出动作  入光时ON/非入光时ON 可切换
    短路保护  配备(自动恢复)
    模拟电压输出
    ・输出范围:0~5V(报警时:+5.2V)
    用测距传感器规定测定值
    ・ 直线性:±0.1%F.S.※1
    读入到PLC+模拟量单元,还能执行各种运算,并存储(记录)测量值。
    直线性  ±0.2%F.S.
    ±0.2%F.S.(测量距离200~400mm)
    NPN开路集电晶体管
    ・ zui大流入电流:50mA
    ・外加电压:30V DC以下(控制输出-0V之间)
    模拟电流输出
    ・输出范围:4~20mA(报警时:0mA)
    ・输出阻抗:300Ω
    反应时间  1.5ms/5ms/10ms 可切换
    采用高精度CMOS传感器&*的算法
    zui大输出:1mW、投光波峰波长:655nm
    电源电压  12~24V DC±10% 脉动P-P10%以下
    消耗电流(注4)
    40mA以下(电源电压24V DC时)、65mA以下(电源电压12V DC时)
    使距离设定反射型传感器实现*的高精度(1/100mm)。
    测量距离  200mm
    HG-C系列设计出内部安装有反射镜的新型光学系统,并缩短进深方向的尺寸,
    测量范围  ±80mm

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